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【應用筆記】關于LED驅動電流的一般計算方法
作者:中微愛芯 發布時間:2020-01-02 人氣:29

簡析測量LED驅動端口電流


一、電流測試方法

市面常規LED驅動IC其驅動腳一般都為開漏結構,以共陰數碼驅動電路為例,SEG腳為PMOS開漏,GRIDNMOS開漏,其帶載示意圖如下圖一:


圖一


當對應LED點亮時,SEG端口內部P管導通,GRID端口內部N管導通。由于MOS管內部存在導通內阻,故等效電路如下圖二所示,此時相當于LED燈兩端各串聯一小電阻直接連接到GNDVCC,此時測量到的電流為瞬時電流。


圖二



假設負載為藍色發光二極管,則其瞬態電流可通過如下方式測量:

1、示波器測量燈兩端的電壓,SEG端電壓為VS,GRID端電壓為VG。

2、將發光二極管取下,在SEG端口對GND接下拉電位器,調節該電位器阻值至VS,測量此時電位器的阻值為RL。

3、藍光LED導通瞬態電流I=VS/RL。

4、假設點亮燈的有效脈寬為t,其周期為T,則平均電流Iavg=t/T*I。


二、導通內阻

MOS的導通內阻在導通電流不同的情況下會出現變化,通常導通電流越大,則導通內阻越大。對于圖二中1、2導通內阻可通過外接上下拉電位器等比例計算,具體方法如下:


圖三


圖四




如圖三,SEG空載時輸出5V,對GND外接可調電位器,調節電阻阻值將SEG最高電壓拉低至3V,測量此時電位器阻值R,實測約65Ω。SEG導通內阻 RS/R=2/3,RS=43.33Ω。
同理,如圖四,GRID空載時輸出0V,對電源外接可調電位器,調節電阻阻值將GRID最低電壓拉高至0.5V,測量此時電位器阻值R,實測約47Ω。GRID導通內阻RG/R=0.5/5,RG=4.7Ω。


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